打破HBM垄断

近期, 英特尔公开了一项专利, 该专利是关于XBM内存的。这项技术, 被视为HBM4有力的竞争者。业界普遍觉得, 它也许会带来更高的数据传输带宽。过去几年, HBM一直都是AI加速器的标配组件。

现今, 部分产品着手动身转向运用LPDDR内存, 这般转变是旨在对供应短缺与价格问题展开平衡。并且, LPDDR自个儿也能够于功耗控制层面斩获愈发优良的成效, 而市场此时此刻正在寻觅更具性价比的存储解决方案。

解决带宽痛点

虽说LPDDR有着更高的效率以及更大的容量, 然而它有着显著的短板, 这个短板是带宽不足, 带宽不足对数据处理速度予以限制, 高通先前提出了HBC架构用以应对这一挑战, 该架构把计算和高速内存带宽紧密结合起来。

于HBC而言, 采用的是3D堆叠芯片解决方案从而得以实现优化以作相应处理, 对比传统HBM, 它已然提供出快一些的处理速度, 其高效性以及可扩展性也都有显著提升, 这种新技术目的在于弥补现有内存方案所存在的缺陷。

新型堆叠技术

HBC堆栈借助2D有机基板跟系统芯片相连接, 堆栈靠底部位置设置了近内存加速器单元, 上层运用硅通孔技术增添了LPDDR DRAM堆栈, 如此这般的结构设计提升了整体集成度以及性能表现。

英特尔的XBM方案所用思路类似的创新也被采用了。关于它, 后段晶体管设计被用于对内部结构实施优化。此技术含有封装基板, 而且有基础芯片可供选择。其将堆叠存储芯片运用, 从而空间利用率得到了提升。

提升面积效率

XBM里的每一个存储芯片都采用1T1C结构, 这种结构含有一个晶体管以及单个电容, 晶体管被转移到后端金属互连层用以提升效率, 这一变动明显加大了TSV的密度。

与传统前端晶体管DRAM相较, 带宽提升显著, 这种设计将芯片内部的布线空间予以优化, 更高的密度表明同分体内可行纳更多数据, 进而契合AI算力对高带宽的急切需求。

降低成本优势

采用Cross – Batch跨批次内存方案的XBM, 连接到一个速率是32 GT/s的UCIe I/O模块, 这种设计致使成本相较于HBM4更为低廉, 对追求性价比的厂商而言极具吸引力。

在0.5GB至5GB这个范围之内, 是每个XBM芯片的容量区间。它的封装尺寸和HBM4完全保持一致。这表明新内存能够被现有设备迅速适配。MoP等多样化的封装选项也提供了灵活性。

未来商业化预期

据业界推测, XBM同英特尔所研发的ZAM技术极具紧密关联, 今年年初之际, 英特尔宣称与力积电以及软银子公司展开合作, 他们一道研发出了名为Z-Angle的新存储技术, 但当下该技术尚未步入商业化生产环节。

预计在2030年前后, XBM技术会致使商业化得以达成。就目标被设定的方向而言, 它打算去填补高端的市场所存在的空缺。性能方面的各项指标, 表明其拥有超越当前已有产品的潜在能力。这会对未来展现的AI硬件供应链的格局进行重新塑造。

你认为, XBM有没有可能在二零三零年切实地替代掉HBM? 恳请留下你的看法展开探讨, 同时把这篇文章分享出去。